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SUP/SUB65P04-15
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
250
200
150
100
V GS = 10 thru 7 V
6V
5V
100
80
60
40
T C = 125 °C
50
4V
20
25 °C
0
3 V, 2 V
0
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
80
60
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
T C = - 55 °C
25 °C
125 °C
0.04
0.03
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
40
20
0
0.02
0.01
0
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
120
8000
I D - Drain Current (A)
Transconductance
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 20 V
I D = 65 A
6000
C iss
16
12
4000
8
2000
0
C oss
C rss
4
0
0
6
12
18
24
30
0
40
80
120
160
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 71174
S11-2308-Rev. B, 21-Nov-11
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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